型號及主要參數

廠家：FEI（美國）

型號：FEI-Scios 2 Hivac

主要參數：

離子束分辨小于3nm@30KV

電子束分辨率：workspace<1nm@15KV，workspace<1.6nm@15KV

樣品XY方向移動范圍不低于100nm，Z方向不低于50nm，可繞Z軸旋轉任意角度傾斜角度T范圍不小于-4°到70°。換樣時間低于3.5分鐘 1.聚焦離子束（FIB）

功能及用途：

利用高強度聚焦離子束對材料進行納米加工，配合掃描電子顯微鏡（SEM）等高倍數電子顯微鏡實時觀察，成為了納米級分析、制造的主要方法。可應用的領域包括：IC芯片電路修改、Cross-Section截面分析、Probing Pad、FIB透射電鏡樣品制備、材料鑒定等領域。

制樣流程

TEM樣品

封裝級別電路修改，利用 Plasma FIB 清除大面積的聚酰亞胺

堆疊芯片封裝中的 TSV 微焊點

采用FIB-SEM技術對電極涂層每500nm逐層切除獲取160張截面照片，然后重構電極三維微觀結構。重構結構像素分辨率為500nm，分辨率較高，一般XCT技術分辨率為1μm左右。粘結劑和導電劑顆粒很小，無法分辨，因此將他們看成一個混合相(碳膠相)。

圖中-電極涂層微觀結構重構圖：(a)鈷酸鋰電極截面，(b)石墨電極截面，(c)鈷酸鋰重構三維結構，(d石墨重構三維結構