掃描電鏡分析

　一、S4800場發射掃描電子顯微鏡

　加速電壓15kV下，二次電子分辨率1nm；

　加速電壓1kV下（減速模式），二次電子分辨率1.4nm； 　　

　材料的顯微結構，微區成分分析，低加速電壓可直接觀察不導電試樣。

　二、Magellan 400 場發射掃描電子顯微鏡

分辨率：二次電子（SE）像15kV時優于0.8nm，1kV時優于0.9nm，STEM模式，BF像30kV時優于0.6nm

帶能力單色過濾器，高分辨率熱場發射掃描電鏡，低加速電壓下具有較高的分辨率，能夠直接觀察不導電材料的顯微結s，熱場發射肖特基電子槍，束流大，且穩定，電子束流連續可調，適用于納米尺寸的能譜(EDS）及背散射電子衍射（EBSD）的分析要求。

三、SU 82220 場發射掃描電子顯微鏡

分辨率：二次電子（SE）像，加速電壓15kV時優于0.8nm；著陸電壓1kV時優于1.1nm；

電子槍真空：優于2*10-8；

電子束流條件范圍：5pA~10nA;

二次電子探頭：Lower,Upper,Top（含Energy filter).

新型e場發射電子槍具有更高的相干度、更高亮度、更小束斑等，因此成像質量更好。低加速電壓下也具有較高的分辨率，這樣可以減少電子書轟擊對樣品的損傷，以及減少觀察不導電樣品時的荷電現象，可以在低加速電壓下獲得較高襯度的背散射信號。有利于分析多相納米材料，介孔材料等。

四、JXA-8100電子探針儀

材料微區成分的定性和定量分析；

元素分布的彩色顯示；

材料的顯微結構觀察與分析；

材料中缺陷分析；失效分析。

二次電子象分辨率5nm，元素分析范圍B－U，元素檢測極限約為0.01%定量分析的總量誤差。